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大容量存儲(chǔ)時(shí)代，QLC未來可期

　　在QLC固態(tài)剛推出的時(shí)候，許多存儲(chǔ)廠商都將首發(fā)目標(biāo)對(duì)準(zhǔn)了企業(yè)級(jí)市場(chǎng)，而不是消費(fèi)級(jí)，原因在于，NAND廠商把QLC顆粒的硬盤定位于大容量數(shù)據(jù)盤，用于取代企業(yè)級(jí)HDD硬盤的地位。
 

一旦QLC閃存顆粒大規(guī)模量產(chǎn)，除了在連續(xù)讀取性能上雖然不會(huì)領(lǐng)先HDD太多外，可以達(dá)到10-100TB的大容量，在連續(xù)讀取性能上雖然不會(huì)領(lǐng)先HDD太多，但是隨機(jī)讀寫能力也可以遠(yuǎn)超機(jī)械硬盤，這是固態(tài)硬盤的運(yùn)行原理所決定的。

　　同時(shí)相比待機(jī)功耗，QLC硬盤更是低上不少，因此在企業(yè)級(jí)大規(guī)模數(shù)據(jù)陣列的應(yīng)用上，QLC固態(tài)硬盤可以說完勝HDD硬盤。

　　那么QLC閃存是如何將容量大幅提升的呢？除了上面所提到的每個(gè)cell單元的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)量上升之外，3D-NAND技術(shù)也是其中不可或缺的一環(huán)，它的原理是通過在同一個(gè)晶片上垂直堆疊多層存儲(chǔ)單元，通過堆棧更高的層數(shù)，實(shí)現(xiàn)更大的存儲(chǔ)密度。

　　三星在3D-NAND閃存技術(shù)方面已經(jīng)實(shí)現(xiàn)大規(guī)模成熟量產(chǎn)，此前首發(fā)的860 QVO就已經(jīng)實(shí)現(xiàn)單顆粒1TB容量，如今發(fā)售新一代870 QVO甚至達(dá)到了最高8TB的存儲(chǔ)容量。

隨著成本的降低，未來QLC固態(tài)硬盤將會(huì)進(jìn)入TB起步的大容量時(shí)代，是真正可能取代HDD硬盤的選擇，對(duì)于普通用戶，最理想的使用場(chǎng)景就是使用一塊TLC的NVMe硬盤作為系統(tǒng)盤，大容量的QLC固態(tài)硬盤作為從盤（數(shù)據(jù)盤），這樣QLC閃存的優(yōu)勢(shì)就能夠最大化的發(fā)揮了。