作者:-1????發(fā)布時間:2021-09-04 17:37 ????瀏覽次數(shù) :
3D-NAND:提升QLC可靠性的良方
部分用戶不看好QLC固態(tài)硬盤的普遍原因就在于QLC閃存的壽命。前面也提及到,由于先天技術原理的原因,QLC顆粒的性能和可靠性確實會有所降低。但是要知道,現(xiàn)在是屬于3D-NAND堆棧技術的時代。
以往2D-NAND閃存想要追求容量提升,就需要依靠制程工藝,提高晶體管密度,就像一個房間里,所有人都變小了,才能裝得下更多人,因此那段時間NAND閃存的制程工藝一路飆升,從50nm不斷升級最終發(fā)展到10nm工藝制程,不過人太多也會“喘不過氣”,隨著2D-NAND閃存工藝的提升,由于閃存的特性,其可靠性會隨之降低。
但是有了3D-NAND堆棧,情況就變得不一樣了,以三星870 QVO為例子,其采用的都是堆棧90層以上V-NAND閃存顆粒,不僅容量變得更大,可靠性也隨著堆棧層數(shù)的上升而提高,因此頂配的8TB版本的壽命高達2880TBW,這意味著即便一天讀寫1TB的數(shù)據(jù),也可以用上接近8年。
即便主流消費者選擇的870 QVO 1TB版本,寫入壽命為360TBW,一般每天日常讀寫40G左右,同樣也能用上十幾二十年,所以關于壽命的問題,目前主流的QLC固態(tài)壽命,已經(jīng)可以滿足大部分用戶的需求。