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3D-NAND：提升QLC可靠性的良方

　　部分用戶不看好QLC固態(tài)硬盤的普遍原因就在于QLC閃存的壽命。前面也提及到，由于先天技術原理的原因，QLC顆粒的性能和可靠性確實會有所降低。但是要知道，現(xiàn)在是屬于3D-NAND堆棧技術的時代。
 

以往2D-NAND閃存想要追求容量提升，就需要依靠制程工藝，提高晶體管密度，就像一個房間里，所有人都變小了，才能裝得下更多人，因此那段時間NAND閃存的制程工藝一路飆升，從50nm不斷升級最終發(fā)展到10nm工藝制程，不過人太多也會“喘不過氣”，隨著2D-NAND閃存工藝的提升，由于閃存的特性，其可靠性會隨之降低。

　　但是有了3D-NAND堆棧，情況就變得不一樣了，以三星870 QVO為例子，其采用的都是堆棧90層以上V-NAND閃存顆粒，不僅容量變得更大，可靠性也隨著堆棧層數(shù)的上升而提高，因此頂配的8TB版本的壽命高達2880TBW，這意味著即便一天讀寫1TB的數(shù)據(jù)，也可以用上接近8年。

即便主流消費者選擇的870 QVO 1TB版本，寫入壽命為360TBW，一般每天日常讀寫40G左右，同樣也能用上十幾二十年，所以關于壽命的問題，目前主流的QLC固態(tài)壽命，已經(jīng)可以滿足大部分用戶的需求。