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2018年，三星發(fā)布了首款搭載QLC顆粒的固態(tài)硬盤860 QVO，定位入門級(jí)硬盤領(lǐng)域，發(fā)布之后消費(fèi)者對(duì)QLC固態(tài)硬盤的評(píng)價(jià)褒貶不一。經(jīng)過(guò)一年的沉淀，三星發(fā)布了860 QVO的升級(jí)版本——870 QVO，1TB起步的起步容量以及最高8TB的超大容量，新QVO系列可以說(shuō)得到了口碑和性價(jià)比的雙豐收。

不過(guò)對(duì)于一些用戶而言，他們認(rèn)為固態(tài)硬盤使用QLC顆粒就是一種“退步”。那么QVO系列的推出，究竟是固態(tài)硬盤發(fā)展史的進(jìn)步，還是開(kāi)了一次“倒車”呢？這里不著急先下結(jié)論，我們一步步來(lái)進(jìn)行分析。

說(shuō)在前面：QLC固態(tài)的使命，不是為了替代TLC

　　首先我們?cè)賮?lái)回顧一下NAND閃存存儲(chǔ)的基本原理：存儲(chǔ)單元通過(guò)施加不同變化的電壓實(shí)現(xiàn)信息存儲(chǔ)。

　　其實(shí)SLC/MLC/TLC/QLC顆粒的區(qū)別，就是按存儲(chǔ)單元可存放的數(shù)據(jù)量進(jìn)行區(qū)分，TLC顆粒的一個(gè)cell單元可以存儲(chǔ)3bit信息，容量相比MLC顆粒增加1/3，擦寫壽命也降至1000-3000次。

　　而QLC顆粒的一個(gè)cell單元可以存儲(chǔ)4bit信息，容量相比TLC顆粒再次增加1/3，但是寫入性能、擦寫壽命同樣會(huì)相應(yīng)減少。

目前，TLC顆粒占據(jù)著固態(tài)硬盤顆粒市場(chǎng)的大頭，縱觀固態(tài)硬盤從SLC顆粒到TLC顆粒的發(fā)展歷程，我們很容易就能得出“QLC固態(tài)硬盤即將替代TLC硬盤”的結(jié)論。實(shí)際上，QLC固態(tài)的使命，并不是為了替代TLC固態(tài)，而是為了替代HDD硬盤。