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閃存芯片的接口速度也在日新月異，2016年是667 MT/s，現(xiàn)在是1600 MT/s，國際閃存原廠下一代閃存芯片接口將達(dá)到2400MT/s甚至更高。現(xiàn)在非常值得我們驕傲的是，我國自主的長江存儲(chǔ)采用先進(jìn)的Xstacking技術(shù)，在一個(gè)芯片里面把NAND存儲(chǔ)單元和IO接口分開獨(dú)立設(shè)計(jì)與加工，于2020年4月成功推出128層TLC和QLC兩款產(chǎn)品，其接口速度達(dá)到1600MT/s，標(biāo)志著我國閃存芯片的設(shè)計(jì)能力已達(dá)到世界先進(jìn)水平。隨著對(duì)技術(shù)創(chuàng)新的不斷投入，我們相信國產(chǎn)自主的閃存芯片廠商會(huì)逐漸確立并引領(lǐng)世界技術(shù)創(chuàng)新方向，而英韌科技也已經(jīng)做好了提前一步支持未來的高速接口的準(zhǔn)備。

數(shù)字經(jīng)濟(jì)在蓬勃發(fā)展，作為信息基礎(chǔ)設(shè)施的數(shù)據(jù)中心必然在未來的幾年內(nèi)不斷對(duì)存儲(chǔ)技術(shù)和產(chǎn)品提出挑戰(zhàn)，隨著QLC顆粒的應(yīng)用，以及閃存芯片的不斷演進(jìn)，作為國際領(lǐng)先的SSD主控芯片廠商的英韌科技，也將繼續(xù)推進(jìn)技術(shù)創(chuàng)新，以更高性能的產(chǎn)品和更豐富的產(chǎn)品類型，滿足更廣泛的市場(chǎng)需求。