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閃存芯片未來會(huì)怎么演進(jìn)？

SSD性能這么高的秘密就在于有很多個(gè)閃存芯片可以并行讀寫，雖然單個(gè)芯片帶寬沒那么高，但是集體的力量大，很多芯片并行起來就可以實(shí)現(xiàn)非常高的性能。
 

但隨著QLC的逐漸普及，未來閃存芯片單顆容量會(huì)很大，一個(gè)SSD里面的閃存顆粒數(shù)量不需要那么多，這就會(huì)產(chǎn)生一個(gè)嚴(yán)重的問題，一旦SSD內(nèi)部沒有這么多的閃存顆粒，并行度就會(huì)下降，導(dǎo)致性能上不去，這該怎么辦？

目前閃存廠商在想辦法讓NAND Flash內(nèi)部提升并行度。主要做法是Plane數(shù)目會(huì)增加，同時(shí)Page Size變小（目前常規(guī)是16KB或者8KB）。Page變小之后，可以做更多的plane，相較于目前最多4個(gè)plane，未來有可能會(huì)有8個(gè)甚至16個(gè)plane。這些功能的改變都需要強(qiáng)大的主控支持，而英韌最新主控支持多達(dá)16個(gè)plane！